CVD系統設備由沉積溫度控件、沉積反應室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據用戶需要設計生產，CVD系統除了主要應用在碳納米材料制備行業(yè)外，現在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學、半導體、光電工程的研發(fā)、涂料等領域

　　實驗機理：CVD成長系統是利用氣態(tài)化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發(fā)生化學反應，從而在基體表面上生成不揮發(fā)涂層的一種薄膜材料制備系統

　　CVD系統產品的特點：

　　1 CVD系統兼容、常壓、微正壓多種主流的生長模式

　　2 CVD系統可以在1000Pa-0.1Pa之間任意氣壓下進行石墨烯的生長

　　3 CVD系統使用計算機控制，可以設置多種生長參數

　　4 CVD系統可以制備高質量，大面積石墨烯等碳材料，尺寸可達數厘米，研究動力學過程

　　5 CVD系統沉積效率高;薄膜的成分可控，配比范圍大;厚度范圍廣，由幾百埃至數毫米，可以實現厚膜沉積且能大量生產